CNRS - Ingénierie

Mardi 19 mars 2013 à 11h CNRS - 3, rue Michel-Ange 75016 Paris Métro : Michel-Ange Auteuil (lignes 9 et 10)

Les limites de miniaturisation des composants électroniques pourraient être plus éloignées que ce que l'on pensait. Une équipe du Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS–CNRS, Toulouse) et de l'Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (CNRS/Université Lille1/Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis/Isen) viennent de construire un transistor de taille nanométrique au comportement exceptionnel pour un dispositif de cette dimension. Pour y parvenir, les chercheurs ont conçu une architecture originale en trois dimensions composée d'un réseau vertical de nanofils dont la conductivité est contrôlée par une grille de seulement 14 nm de longueur. Ces résultats, publiés dans la revue

Jean-Yves Marzin est nommé directeur de l'Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes (INSIS) du CNRS par Alain Fuchs, président de l'organisme. Spécialiste des semi-conducteurs, il a consacré ses recherches aux propriétés optiques des micro et nanostructures. Jean-Yves Marzin prend ses fonctions à compter du 18 février 2013, en remplacement de Claudine Schmidt-Lainé, nommée le 3 janvier dernier, recteur de l'académie de Rouen.

La miniaturisation des composants électroniques est en train d'atteindre une limite physique. Si la solution de l'assemblage en trois dimensions permettrait de gagner sur l'encombrement spatial, la fabrication des connections électriques dans ces nouveaux dispositifs reste un défi technologique. Des biologistes et physiciens du CEA, du CNRS, de l'Université Joseph Fourier et de l'Inra à Grenoble ont mis au point un système de connexions auto-assemblées, grâce à des filaments d'actine , pour ces structures microélectroniques en 3D. Une fois rendus conducteurs, ces filaments d'actine permettent de connecter entre eux les différents composants d'un système. Ces résultats sont publiés dans la revue Nature Materials du 10 février 2013.

Non volatiles, les mémoires ferromagnétiques sont promises à un bel avenir dans le stockage des informations pour les applications mobiles et le multimédia. Des obstacles techniques ont retardé la révolution qu'elles promettent depuis plusieurs années. Deux équipes de l'Institut d'électronique fondamentale (Université Paris-Sud/CNRS), en collaboration avec le Laboratoire de génie électrique de Paris (CNRS/SUPELEC/UPMC/Université Paris-Sud) notamment, viennent de mettre au point des nanodispositifs intégrés qui permettraient d'accroître les capacités de stockage des mémoires numériques, tout en diminuant leur consommation d'énergie. Ces travaux viennent d'être publiés dans la revue